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μ PA672T
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ?C)
PARAMETER
Drain Cut-off Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
Forward Transfer Admittance
Drain to Source On-State Resistance
Drain to Source On-State Resistance
Input Capacitance
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
|y fs |
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
TEST CONDITIONS
V DS = 50 V, V GS = 0
V GS = ± 7.0 V, V DS = 0
V DS = 3.0 V, I D = 1.0 μ A
V DS = 3.0 V, I D = 10 mA
V GS = 2.5 V, I D = 10 mA
V GS = 4.0 V, I D = 10 mA
V DS = 3.0 V, V GS = 0, f = 1.0 MHz
MIN.
0.7
20
TYP.
1.0
20
15
6
MAX.
10
± 5.0
1.5
40
20
UNIT
μ A
μ A
V
mS
?
?
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
8
1.2
pF
pF
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DD = 3 V, I D = 20 mA, V GS(on) = 3 V,
R G = 10 ? , R L = 120 ?
9
50
20
40
ns
ns
ns
ns
SWITCHING TIME MEASUREMENT CIRCUIT AND CONDITIONS
DUT
R L
Gate
voltage
waveform
V GS
0
10 %
V GS(on)
90 %
V DD
PG.
R G
Drain
current
I D
0
10 %
90 %
I D
90 %
10 %
waveform
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
0
2
τ
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1 %
t on
t off
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